微波铁氧体器件薄膜的制备及性能研究

该文采用RF磁控溅射工艺制备了射频薄膜电感用的铁氧体薄膜。为了降低铁氧体薄膜在高频下的涡流损耗、剩余损耗等,通过对铁氧体材料的磁特性分析,研究了不同的温度、成分掺杂对铁氧体磁性能的影响,获得了矫顽力为5.619 6Guss的铁氧体薄膜,并采用SEM、XRD对铁氧体薄膜表面结构进行了表征,采用VSM对薄膜磁性能进行了测试。     

Si(111)上生长LiNbO_3薄膜的研究

利用射频磁控溅射的方法,在Si(111)衬底上制备了LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)研究了衬底温度、退火温度和溅射气体压强对LiNbO3薄膜结晶和表面形貌的影响,并用椭圆偏振仪测量了薄膜的厚度和折射率。结果表明:衬底温度为450℃时制备的薄膜,退火前后都没有LiNbO3相生成;衬底温度为500～600℃时,LiNbO3薄膜出现(012)、(104)和(116)面衍射峰,经600℃退火后3个衍射峰的强度加强;衬底温度为600℃时,经600～900℃退火得到的LiNbO3薄膜,除出现(012)、(104)和(116)面衍射峰外,还出现(006)面衍射峰;溅射气体压强从0.8 Pa增大到2.4 Pa时,经800℃退火后得到的LiNbO3薄膜表面晶粒团簇变小,而0.8 Pa制备的薄膜经800℃退火后LiNbO3相的结晶程度较其它压强下完善;900℃退火后得到的LiNbO3薄膜折射率为2.25,与LiNbO3晶体相当。     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。     

衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响

采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率,研究了衬底温度对溅射TiNx薄膜结构与电阻率的影响。研究结果表明:衬底温度从室温升高到600℃时,随着温度升高,TiNx薄膜的(111)晶面衍射峰逐渐增强,500℃后减弱;(200)晶面衍射峰在300℃时最强,之后减弱。随着衬底温度的升高,TiNx薄膜的晶粒逐渐增大,300℃达最大后减小。随着衬底温度升高,TiNx薄膜的N/Ti原子含量比降低,200℃时降到最低为0.99,随后升高,500℃时最高为1.34,随后再次降低。N/Ti原子含量比与薄膜电阻率呈明显反比变化。     

循环流化床锅炉膜式水冷壁管磨损及处理

阐述循环流化床锅炉炉内受热面的磨损机理,从运行参数和床料特性两方面分析引起受热面磨损的原因,提出超音速电弧喷涂技术对炉内水冷壁进行处理的有效措施。文中详细介绍了超音速电弧喷涂的材料、喷涂工艺、涂层基本参数,并计算出由于喷涂技术的采用而对35 t/h、75 t/h和130 t/h的循环流化床锅炉产生的经济效益。     

磁控溅射AI／Pb纳米多层膜调制结构研究

用磁控交替沉积制备Al／Pb纳米多层膜,运用XPS,AFM,TEM考察表面状况及膜结构．结果表明,实验条件下,当Al层厚60nm时,Pb子层标定厚度从20nm增至30nm,可形成较完整埋层调制结构．随Pb层厚度增加,连续性变好、表面糙度降低,Al层对Pb层表面糙度克服能力提高,改善层状结构完整性．多层膜中Al,Pb子层均存在（111）择优取向特征,由fcc结构的表面自由能最小化引起．     

Optimization of material structure of ploy-Si thin film based on Al induced crystallization

Based on Al induced crystallization (AIC) method, influences of different material structures on formation and characteristics of ploy-silicon thin films were studied and optimized. Al-Si films on glass with different structures (Si/Al/Glass, Al/Si/Glass, Si/Al/…/Si/Al/Glass) were deposited on glass substrates by sputtering method. All samples were annealed for MIC with varied time processes under 500℃ N2 environment. X-ray diffraction test and scanning electron microscope were adopted to characterize cryst...     

射频磁控溅射的不同厚度MgF2薄膜的微结构和应力特性

用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60．7～1545．0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜，并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明：制备的MgF2薄膜呈多晶状态，仍为四方结构；随膜厚由420．0nm增加到1545．0nm，膜的平均晶粒尺寸由3．2tim逐渐增大到14．5nnl。应力研究表明：所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力；随膜厚增加，MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小，当膜厚大于1200nm时，其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。     

氧分压对TiO2薄膜光学性能的影响

为得到光学性能良好、稳定的TiO2薄膜,采用离子束溅射的方法,改变氧分压,在k9玻璃上制备出不同结晶取向不同光学常数的TiO2薄膜.采用椭圆偏振光谱仪测试、拟合得到薄膜的厚度、折射率和消光系数.薄膜通过400℃退火,利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的成分、结晶和取向进行分析.实验结果发现,随氧分压增加折射率减低,当氧分压达到1.0×10-2Pa时,折射率在2.43附近,变化趋于稳定.氧分压对薄膜的消光系数k影响较大,氧分压高于1.0×10-2Pa时在可见光和近红外区薄膜消光系数近似为0.随氧分压降低,薄膜从(101)向(200)转变.在此氧分压下,得到的薄膜折射率稳定,消光系数相对较小.     

光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究

为了研究光子计数成像系统中感应电荷层Ge薄膜的制备工艺,改善光子计数成像系统的成像稳定性,采用直流磁控溅射法在熔石英衬底上制备了Ge薄膜,分析了工作气体Ar气通入量对Ge薄膜沉积速率的影响,利用表面轮廓仪及四探针表面电阻仪对样品分别进行了表面粗糙度及电学性能的表征。结果表明：随着Ar气通入量的增加,Ge薄膜沉积速率先上升后下降,在Ar气通入量为15sccm时,Ge薄膜的沉积速率出现极大值;Ge薄膜的表面粗糙度及薄膜电阻率均随着Ar气通入量的升高而增大;薄膜越厚,其电阻受氧化影响越小,电学性能越稳定。